半导体参数分析系统一套

★1.测量系统采用插卡式架构，最多可插入模块数量≥9 个。

★2.直流信号最大电压输出幅度≥210V。

▲3.直流信号最大电流输出幅度≥105mA。

★4.直流信号电流测量最小分辨率≤0.01fA。

★5.直流信号电流测量精度≤10fA。

▲6.直流信号电压输出分辨率≤5μV。

7.电压测量范围至少覆盖 0.2μV-200V。

▲8.电流测量范围至少覆盖 0-100mA。

★ 9.源测量模块数量≥4 个。

★10.C-V 测量频率范围至少覆盖 1KHz-10MHz。

11.C-V 测量偏置电压至少覆盖 ±30V、60V 差分。

★12.高速脉冲 I-V 测试电压范围≥80Vp-p。

★13.高速脉冲 I-V 测试电流量程至少包含 800mA、200mA、10mA、1mA、100μA、10μA、1μA、100nA。

▲14.高速脉冲输出脉宽最快≤20ns，脉冲输出同时测流时≤60ns。

★15.模块数量为 7 个，包含 4 个源测量模块、1 个电容电压模块、2 个远程前端放大器模块。

▲16.配套电脑配置：

CPU≥4.0GHz 32核心 64线程，

内存≥64G DDR5 内存，4槽位，支持128G内存，

硬盘≥512GB 固态 + 4T SATA机械 双硬盘，

8 个以上 USB 接口，内置 100/10 MB 以太网络接口，15.6 英寸以上液晶显示器，预装 Windows 10 操作系统。

17.软件类型及功能：支持 Windows 操作，采用图形化界面，全集成化设计；包含标准半导体器件参数测试库；具备专业的二次开发开放平台。

★18.具备设备管理大数据展示功能：可展示设备详情、资产信息、开关机对比、日志信息、运行计划、系统软件统计、系统使用情况等（提供此功能界面截图证明）。

★19.终端端口可分类别底层统一控制（提供此功能界面截图证明）。

★20.溅射靶配置：≥3 套， ≥3 英寸磁控溅射靶，向上溅射，可溅射磁性材料，各靶配有气动挡板结构。

★21.可根据教学计划任务设置，支持固定时间、每天、每周等定时执行各种任务类型，包括切换模板、还原设备数据盘（提供此功能界面截图证明）。

★22.支持收集平台中所有终端硬件配置信息，包括终端名称、设备内存容量、最近运行时间、合计运行时间、硬件变更和记录信息等，便于实验室设备管理（提供此功能界面截图证明）。

★23.具备监测测向一体化频谱管理平台，包含统计分析、任务管理、天线因子管理、环境控制、联系测向功能（提供此功能界面截图证明）。

24.具备矢量信号分析功能，支持多种单载波数字调制信号解调分析，可提供频谱图、矢量图、星座图、眼图、误差 / 符号表等多种显示窗口对调制信号特性进行分析。

测试端口配备 N 型阴转接器。

★25.信息展示：实时滚动显示故障与预警信息，包括异常类型、发生时间、影响范围等内容，信息更新频率≥1 次 / 秒；支持历史故障信息查询，查询时间跨度≥1 年，便于教学复盘。